華為最新芯片相關專利：可搭載導熱硅膠提升散熱能力

近日，華為技術有限公司公開了一項名為“芯片、芯片的制造方法和電子設備”的發(fā)明專利，公開號為CN113113367A。

該發(fā)明實施例公開了一種芯片、芯片的制造方法和電子設備，能夠解決相關技術中靠近殼體底部的硅片產生的熱量難以散發(fā)出去，聚積較高的溫度，而出現(xiàn)芯片燒壞的問題。

所述一種芯片，包括殼體、多個硅片和多個導熱片（絕緣導熱片，為單晶金剛石薄膜、多晶金剛石薄膜和氮化硼薄膜中的一種或多種）。其中殼體可以包括底部、側部和上蓋，多個硅片和多個導熱片堆疊安裝在殼體中，例如，多個硅片和多個導熱片在殼體中，從底部至上蓋依次交替放置，進而，相鄰兩個導熱片之間夾有硅片，相鄰兩個硅片之間夾有導熱片，而且導熱片的邊緣可以從相鄰兩個硅片之間的間隙中伸出。

基于上述結構，硅片產生的熱量傳遞到與之相接觸的導熱片上，由于導熱片的導熱系數(shù)高于硅片的導熱系數(shù)，使得硅片上的熱量能夠快速傳遞到導熱片上，降低硅片的溫度。由于導熱片的邊緣可以從相鄰兩個硅片之間的間隙伸出，故導熱片的面積要大于硅片的面積，導熱片吸收的熱量可以在導熱片上擴散，實現(xiàn)熱量分布的均勻化，避免熱量的聚積。

實施例還寫到：在一種可能的實現(xiàn)方式中，相鄰兩個導熱片之間，以及靠近殼體上蓋的導熱片與上蓋之間填充由導熱硅膠類材料制成的導熱層，這樣導熱片能夠較快的將熱量傳遞到殼體上蓋處，通過上蓋向外散熱，進而提升芯片的散熱能力。

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